特氣管路五項(xiàng)檢測(cè)包括哪些測(cè)試？在測(cè)試過(guò)程中有哪些技巧和注意事項(xiàng)？量化檢測(cè)課堂帶你一起了解：設(shè)備主管路主要是通各種特種氣體,需做測(cè)試項(xiàng)目有：保壓測(cè)試、氦檢測(cè)試、水分測(cè)試、氧分測(cè)試、顆粒測(cè)試。

保壓測(cè)試

2.1測(cè)試目的

確保管路輸送系統(tǒng)沒(méi)有明顯的泄漏，以便對(duì)管路系統(tǒng)進(jìn)行氦測(cè)漏

2.2測(cè)試規(guī)則

測(cè)試時(shí)間為24小時(shí)，測(cè)試壓力不能小于設(shè)計(jì)壓力的1.15倍，經(jīng)溫度糾正后的允許壓力降為不大于開始?jí)毫Φ?%.壓力變化方程式(考慮到溫度影響)

2.3測(cè)試方法

1.     將氣源用金屬管道連接至系統(tǒng)入口端。

2.     慢慢打開隔離閥。

3.     每次增加 10 PSIG，緩慢的將系統(tǒng)壓力增加到最終測(cè)試壓力的50% 。觀察壓力表10 到15 分鐘，看系統(tǒng)有無(wú)泄漏。如壓力表顯示系統(tǒng)有泄漏，則減小系統(tǒng)壓力并處理漏點(diǎn)。重復(fù)上述操作。

4.     確認(rèn)系統(tǒng)無(wú)任何泄漏后，慢慢的增加系統(tǒng)壓力到測(cè)試值，斷開氣源，記錄好溫度、時(shí)間、壓力值，24H后觀察壓力是否有壓降。

5.     在系統(tǒng)的壓力穩(wěn)定并顯示無(wú)任何壓降后，在壓力測(cè)試報(bào)告中記錄測(cè)試開始時(shí)的溫度、時(shí)間和壓力值。

2.4測(cè)試結(jié)束后注意事項(xiàng)

1.     在測(cè)試報(bào)告中記錄下測(cè)試的參數(shù)。將系統(tǒng)的壓力釋放，在進(jìn)行氦測(cè)漏之前用高純N2對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行持續(xù)的吹掃0.5H。

2.     將壓力測(cè)試用的管線拆除，用堵頭來(lái)密封系統(tǒng)并使用新的墊片。

3.     如果由溫度所引起的壓力下降超過(guò)了要求，通過(guò)關(guān)閉測(cè)試范圍內(nèi)的系統(tǒng)閥門來(lái)  開所有的潛在漏點(diǎn)，觀察各個(gè)不同隔離部分的壓降。

4.     在將漏點(diǎn)隔離和修復(fù)之后，重復(fù)上述測(cè)試步驟。

3．      氦質(zhì)譜檢漏測(cè)試

氦檢測(cè)試

3.1測(cè)試目的

利用氦質(zhì)譜儀感測(cè)漏入系統(tǒng)中的微量的氦氣來(lái)測(cè)漏，并根據(jù)檢測(cè)到的氦氣的量來(lái)確定漏率的大小。                               

3.2相關(guān)名詞及解釋

真空度：處于真空狀態(tài)下的氣體稀薄程度，通常用“真空度高”和“真空度低”來(lái)表示。

3.3測(cè)試前準(zhǔn)備

1.     系統(tǒng)成功的的通過(guò)了保壓檢漏。

2.     確認(rèn)系統(tǒng)的所有部件都能承受得住真空狀態(tài)而不損壞。

3.     先對(duì)測(cè)漏儀本身閥組及連接管路進(jìn)行漏率檢測(cè)。

4.     測(cè)漏儀與系統(tǒng)管路接通前，要將被測(cè)系統(tǒng)內(nèi)的氣體釋放掉。

5.     緩緩打開測(cè)漏儀入口處的閥門，將測(cè)漏儀與管路系統(tǒng)隔離閥之間的管路抽真空，直至測(cè)漏儀顯示的背景漏率低于   1× 10-9 mbar.l/s。

6.     對(duì)連接管路上所有的焊道及機(jī)械連接處進(jìn)行氦氣噴吹。

3.4測(cè)試方法

1.  確認(rèn)系統(tǒng)中所有的閥門和調(diào)壓閥都是全開的。

2.  確認(rèn)系統(tǒng)中的壓力為0，如果系統(tǒng)中還有正壓，要先將系統(tǒng)中的氣體放掉。  

3.  緩緩打開檢漏儀入口處的閥門，開始將系統(tǒng)抽成真空狀態(tài)。遵照檢漏儀的操作說(shuō)明操作，直至達(dá)到可以檢測(cè)的狀態(tài)。

4.  記錄下檢漏儀的背景氦漏率，該背景氦漏率低于1 ×10-9 mbar.l/s以后，才可以進(jìn)行噴吹工作。

5.  從最靠近檢漏儀的焊道或連接處開始檢測(cè)，將氦氣用噴槍噴吹到焊道或連接處，使得氦氣會(huì)停留在焊道或連接處一段時(shí)間，確認(rèn)沒(méi)有泄漏后，進(jìn)行下一個(gè)焊道或連接處的檢測(cè)，直到最后一個(gè)焊道或連接處。

6.  如果發(fā)現(xiàn)檢漏儀的指示值有上升的現(xiàn)象，待到檢漏儀讀值恢復(fù)正常后，重新檢測(cè)該焊道或連接處以確認(rèn)其是否真的有漏，如果確認(rèn)不是該焊道或連接處有漏，要依次檢測(cè)該焊道或連接處之前的焊道或連接處，直到找到漏點(diǎn)為止。

7.  直至所有的接點(diǎn)都被檢測(cè)到，檢測(cè)合格的接點(diǎn)要貼合格標(biāo)志。所有的接點(diǎn)都噴吹過(guò)氦氣后，繼續(xù)觀察檢漏儀的讀值10分鐘左右，確認(rèn)讀值沒(méi)有異常后才可以將系統(tǒng)與儀器之間分離開。

8.  如果每個(gè)接點(diǎn)的氦氣漏率都低于1× 10-9 mbar.l/s，說(shuō)明該系統(tǒng)的漏率是符合要求的。測(cè)試人員可以將檢測(cè)結(jié)果記錄在檢測(cè)報(bào)告里了。

9.  將檢漏儀與系統(tǒng)分開。

4．水分、氧分、顆粒檢測(cè)（三臺(tái)儀器并聯(lián)使用）

4.1測(cè)試目的和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

水分檢測(cè)的目的主要是為了避免管道內(nèi)水含量過(guò)高時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，對(duì)制程造成影響。氧分檢測(cè)的目的主要是為了避免管道內(nèi)氧含量過(guò)高時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，對(duì)制程造成影響。例如，芯片在生產(chǎn)過(guò)程中，原本大氣中O2會(huì)和Si產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng):O2+Si=SiO2,為原始的氧化成，如果管道內(nèi)的氧含量過(guò)高，原始的氧化層會(huì)超出原本已經(jīng)計(jì)算好的厚度，如此會(huì)嚴(yán)重影響接下來(lái)各階段的制程。顆粒檢測(cè)主要是檢測(cè)管道內(nèi)微粒子的粒徑大小和數(shù)量多少。

4.2測(cè)試方法

1.     將吹掃氣源連接到系統(tǒng)進(jìn)氣端，所有閥門處于開啟狀態(tài)。

2.     連續(xù)吹掃2H后用金屬管路連接系統(tǒng)出氣端至測(cè)試儀器進(jìn)氣端。使氣體通入儀器，10分鐘后打開電源，設(shè)置儀器各項(xiàng)參數(shù)后開始測(cè)試。

3.     待測(cè)試數(shù)據(jù)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求后，記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，關(guān)閉進(jìn)氣端和出氣端閥門，使管道內(nèi)保持正壓。

4.     測(cè)試儀器斷電，儀器與設(shè)備分離。